等離子化學氣相沉積

❶ APVCD是什麼PECVD是什麼

化學氣相沉積技術 (CVD)
APCVD（Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition）是指常壓化學氣相沉積法
PECVD--等離子體增強化學氣相沉積法
為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
實驗機理：是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

❷ 物理氣相沉積法與化學氣相沉積法有何區別

物理氣相沉積法與化學氣相沉積法有何區別
太一般了,CVD,PCD包含了多種制備方法,通過不同的制備方法製得的薄膜的結構和性質是不太一樣的...然而,比一般的CVD法的PVD的穩定性更好,但PVD增長通過以下方式獲得的膜的膜是比較快的

❸ 微波等離子體化學氣象沉積的工作原理

CVD法制備金剛石膜的工藝已經開發出很多種，其中主要有：熱絲法（Hot Filament CVD, 簡稱HFCVD）[1]、微波法（Microwave Plasma CVD, 簡稱MPCVD）[2]、直流等離子體炬法（DC Plasma-jet CVD）[3]和氧-乙炔燃燒火焰法（Oxy-acetylene Combustion Flame）[4]。其中，微波法是用電磁波能量來激發反應氣體。由於是無極放電，等離子體純凈，同時微波的放電區集中而不擴展，能激活產生各種原子基團如原子氫等，產生的離子的最大動能低，不會腐蝕已生成的金剛石。與熱絲法相比，避免了熱絲法中因熱金屬絲蒸發而對金剛石膜的污染[5]以及熱金屬絲對強腐蝕性氣體如高濃度氧、鹵素氣體等十分敏感等缺點，使得在工藝中能夠使用的反應氣體的種類比HFCVD中多許多；與直流等離子體炬相比，微波功率調節連續平緩，使得沉積溫度可連續穩定變化，克服了直流電弧法中因電弧的點火及熄滅而對襯底和金剛石膜的巨大熱沖擊而造成在DC plasma-jet CVD中金剛石膜很容易從基片上脫落[6]；通過對MPCVD沉積反應室結構的結構調整，可以在沉積腔中產生大面積而又穩定的等離子體球，因而有利於大面積、均勻地沉積金剛石膜，這一點又是火焰法所難以達到的[7]，因而微波等離子體法制備金剛石膜的優越性在所有制備法中顯得十分的突出

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